виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE

Компанія SEMIKRON виробляє IGBT модулі, напівмости, IGBT транзистори, модулі в різних корпусах, які відповідають певним технологічним характеристикам.  Розрізняють вісім різновидів корпусів: SEMITRANS, SEMiX, SEMITOP,SKiiP IPM, Mini SKiiP, Mini SKiiP IPM, SKIM 4/5,SKIM 63/93.

SEMIKRON виробляє різноманітні типи силових напівпровідників:

• Модули IGBT.
• Інтелектуальні модулі IGBT.
• Модулі MOSFET.
• Драйвери IGBT.
• Тиристатори та діоди як у модульному виконанні, так і в дискретному.
   

Біполярний транзистор з ізольованим закривом (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — триелектродний силовий електронний прилад, який використовується переважно як потужний електронний ключ в імпульсних джерелах живлення, інверторах, у системах керування електричними приводами.

IGBT транзистори витісняють тиристори з високовольтних схем перетворення частоти та дають змогу створити імпульсні джерела вторинного електроживлення з якісними найкращими характеристиками.

Semikron випускає широку гаму силової продукції в діапазоні струмів від 1 А до 100 А й напруги від 200 В до 3000 В. Найвідоміші випрямлячі IGBT напівмости та діоди на великі струми.

Сьогодні компанія SEMIKRON пропонує вісім типів модулів IGBT у стандартних конструктивах із робочою напругою 600, 1200 і 1700 В.

IGBT транзистори використовуються досить широко в інверторах для керування електродвигунами, у потужних системах безперебійного живлення з напруженнями понад 1 кВ і струмами в сотні амперів