Маркування: K80E06K3A (Toshiba Semiconductor)
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 125 W
Гранично допустима напруга стик-висток <unk> Uds<unk> : 60 V
Гранично допустима напруга затвор-висток <unk> Ugs<unk> : 20 V
Порога напруга увімкнення <unk> Ugs(th)<unk> : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку <unk> Id<unk> : 80 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 90 nC
Час наростання (tr): 26 ns
Вихідна ємність (Cd): 800 pf
Опір стік-виток відкритого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
Тип корпуса: TO220

Ціна вказана за 1 шт.

#7828