анал -N

Корпус -DFN3X3EP

Макс. напруга drain-source (Uds), В -30

Макс. напруга gate-source (Ugs), В -20

Макс. імпульсний струм drain (Id), А -117

Макс. потужність, що розсіюється (Pd), Вт -25

Макс. температура каналу (Tj), °C -150

Опір drain-source відкритого транзистора (Rds), Ом -0.0092

Вихідна ємність (Cd), pF -490

Час наростання типовий (tr), nS -2

Макс. постійний струм drain (Id), А -40