Виробник: Sharp

Івх. (max): 50 mA

Uвх.прям.: 1,2 V (тип.)

Uвх.обр.(max): 6 V

U вих (к-е) (max): 70 V

Івих (max): 50 mA

Івих.ут.закр.: <0,1 uA

Uизол. (max): 5000 V

Uвих.об'явл. (к-е): <0,1 V (тип.)

CTR: 50..400%

Твкл.: <18 uS (тип. 4 uS)

Твыкл.: <18 uS (тип. 3 uS)

Гранична частота: 80 KHz

Діапазон робочих температур: -30°C ~ +100°C

Корпус: DIP-4

Функціональне призначення:

Оптрон транзисторний