promo_download_app_android_2023
Натисніть знайти для пошуку
Модулі серії IGBT BSM50GAL120DN2 BSM50GB120DN2
Модулі серії IGBT BSM50GAL120DN2 BSM50GB120DN2
Характеристики та опис

Основні

ВиробникInfineon
Країна виробникКитай
Тип транзистораТранзисторний модуль
Тип монтажуПоверхневий
Термін служби8000 годин

Найменування: BSM50GAL120DN2

Тип керівного каналу: N-Channel

Максимальна розсіювана потужність (Pc): 400

Гранично-допустима напруга колектор-емітер (Uce): 1200

Напруга насичення колектор-емітер (Ucesat): 3

Максимально допустима напруга іміттер-закрива (Ueg): 20

Максимальний постійний струм колектора (Ic): 50

Максимальна температура переходу (Tj): 150

Час наростання: 56

Ємність колектора (Cc), pf: 500

Тип корпусу: MODULE

(заміна) для BSM50GAL120DN2

Модулі серії IGBT BSM50GAL120DN2 BSM50GB120DN2

Готово до відправки
Код: BSM100GB120DLC
від 1 100 
Оплатити частинами
2
rozetkapay
Способи оплати
Оплатити частинами
rozetkapay
Без переплат*, від 550 ₴ / міс.
Детальніше
Безпечна оплата
  • Як післяплата, тільки без переплат
  • Повернем гроші, якщо щось піде не так
  • Bigl гарантує безпеку
Оплата на рахунок
IBAN UA783052990000026004050287247
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Умови повернення
Уточнюйте у продавця
Інші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Чат