Основні

Виробник	STMicroelectronics
Матеріал корпусу	Пластик
Країна виробник	Китай
Тип монтажу	Ручний монтаж
Максимальна потужність розсіювання	12.50 Вт

BD135 транзистор NPN (1,5 А 80 В) 12,5 W (ТО126)

Iк max: 1.5А

Uкео max: 80В

h21э: 25 … 250

Ft: 190 МГц

Корпус: SOT-32 (ТО126)

Розсіювана потужність: 12.5 Вт

Виробник: STM

: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Тип: NPN біполярний транзистор

Виробник:	STMicroelectronics
Категорія продукту:	Біполярні транзистори — BJT
RoHS:	Деталі
Конфігурація:	Single
Полярність транзизора:	NPN
Напруга колектор-база (VCBO):	45 V
Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.:	45 V
Напруга еміттер-база (VEBO):	5 V
Напруга насичення колектор-емітер:	- 0.5 V, + 0.5 V
Максимальний постійний струм колектора:	1.5 A
Максимальна робоча температура:	+ 150 C
Вид монтажа:	Through Hole
Паковання/блок:	ТО126
Торгова марка:	STMicroelectronics
Колектор постійного струму/Мін. коеф. посилення транзизора (hfe):	25
Коефіцієнт посилення по постійному струму (hFE), макс.:	250
Мінімальна робоча температура:	- 65 C
Паковання:	Tube
Pd — розсіювання потужності:	12.5 W
Серія:	500V Transistors
Розмір фабричного паковання:	100