N-канальний MOSFET (польовий транзистор)

Характеристики

• Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 150 W
• Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 200 V
• Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V
• Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V
• Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 18 A
• Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
• Загальний заряд затвора (Qg): 67 nC
• Час зростання (tr): 19 ns
• Вихідна ємність (Cd): 185 pf
• Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
• Тип корпусу: TO263