Ядро Yorkfield
Кількість ядер 4
Техпроцес, нм 45 high-k
Роз'єм LGA 775
Частота, МГц 2500
Множник 8
FSB/HT/QPI 1333
кеш L1, КБ 32 x 4
кеш L2, КБ 2048 x 2
Напруга живлення, В
TDP, Вт 95
Кількість транзисторів, млн 456
Площа кристала, кв. мм 82 x 2
Гранична температура, °C 71,4