Найменування виробника: 2SD5703
Тип матеріалу: Si
Полярність: NPN
Максимальна розсіювана потужність (Pc): 70 W
Максимально допустима напруга колектор-база (Ucb): 1500 V
Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 800 V
Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 6 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic): 10 A
Гранична температура PN-переходу (Tj): 150 °C
Статичний коефіцієнт передачі струму (hfe): 5.3
Корпус транзистора: TO3P
Найменування виробника: 2SD5703
Тип матеріалу: Si
Полярність: NPN
Максимальна розсіювана потужність (Pc): 70 W
Максимально допустима напруга колектор-база (Ucb): 1500 V
Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 800 V
Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 6 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic): 10 A
Гранична температура PN-переходу (Tj): 150 °C
Статичний коефіцієнт передачі струму (hfe): 5.3
Корпус транзистора: TO3P