КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В) (ТО92)

КТ645Б
Транзистори КТ645Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n швидкодійні, високочастотні.
Призначені для застосування у високочастотних генераторах і підсилювачах, у швидкодійних імпульсних пристроях.
Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими виведеннями.
Маркуються цифро-букваним на корпусі транзистора.
Маса транзизора не більш ніж 0,3 г.
Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92).
Вид кліматичного виконання: «УХЛ5.1» за ГОСТом 15150-69.
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
— приймання «1» АА0.336.333ТУ.
Мінімальний термін зберігання не менш ніж 12 років від дня виготовлення.
Імпортний : HSE401, 2SC714, 2SC944, BC547A.
Основні технічні характеристики транзизора КТ645Б:
• Структура транзизора: n-p-n;
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 0,5 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 40 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 0,3 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення еміттера: не більш ніж 10 мкА (60 В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 80;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 5 ПФ
Технічні характеристики транзисторів КТ645А, КТ645Б:
Тип
транзизора |
Структура |
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C |
Значення параметрів за Тп = 25 °C |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
IЭБО |
IКЭR |
f гp. |
СК |
СЭ |
| А |
А |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мкА |
мкА |
мкА |
МГц |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| КТ645А |
n-p-n |
0,3 |
0,6 |
50 |
60 |
4 |
0,5 |
20…200 |
0,5 |
<10 |
<10 |
- |
>200 |
<5 |
<50 |
150 |
-40…+85 |
| КТ645Б |
n-p-n |
0,3 |
0,6 |
40 |
40 |
4 |
0,5 |
>80 |
0,05 |
<10 |
<10 |
- |
>200 |
<5 |
<50 |
150 |
-40…+85 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.