Транзистор IRF820 N-канальний MOSFET (польовий транзистор)

Характеристики:

• Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 50 W
• Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 500 V
• Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V
• Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V
• Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 2.5 A
• Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
• Загальний заряд затвора (Qg): 24(max) nC
• Час зростання (tr): 8.6 ns
• Вихідна ємність (Cd): 92 pf
• Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 3 Ohm
• Тип корпусу: ТО220