Транзистор IRF840 N-канальний MOSFET (польовий транзистор) забезпечує найкраще поєднання швидкого перемикання, міцної конструкції пристрою, низького опору у включеному стані та доступної ціни.

Характеристики:

• Полярність: N
• Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 74 W
• Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 500 V
• Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 30 V
• Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 8 A
• Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
• Загальний заряд затвора (Qg): 63 nC
• Час зростання (tr): 23 ns
• Вихідна ємність (Cd): 310 pf
• Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
• Тип корпусу: ТО220