Основной

Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер	60 В
Максимально допустимый ток коллектора	0.80 А
Материал корпуса	Металлостекло
Тип биполярного транзистора	N-P-N
Тип монтажа	Ручной монтаж

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

КТ3117А
Транзисторы КТ3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы КТ3117А, КТ3117Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.336.262 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ3117А:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ3117А, КТ3117Б:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С							TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. И. max)	h21Э, (h21э)	UКЭ нас.	IКБО	f гp. (f h21)	КШ	СК	СЭ	TП max	Т max
		мА	мА	В	В	В	мВт		В	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
КТ3117А	n-p-n	400	800	60	60	4	300	40...200	0,6	10	200	-	10	80	150	-60…+125
КТ3117Б	n-p-n	400	800	75	75	4	300	100...300	0,6	10	200	-	10	80	150	-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.