Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
КТ313А
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.336.131 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ313А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ313А, КТ313Б:
Тип
транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РКmax
(РК. И.max) |
h21Э,
(h21э) |
UКЭ
нас. |
IКБО |
f гp.
(f h21) |
КШ |
СК |
СЭ |
| мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| КТ313А |
p-n-p |
350 |
700 |
50 |
60 |
5 |
300 |
30...120 |
0,5 |
0,5 |
200 |
- |
12 |
35 |
125 |
-40…+85 |
| КТ313Б |
p-n-p |
350 |
700 |
50 |
60 |
5 |
300 |
80...300 |
0,5 |
0,5 |
200 |
- |
12 |
35 |
125 |
-40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.