•
•
•
•
•
•
IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74W
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.10 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 800V 4.1 A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 125W
N-CHANNEL 800V ― 3.0 OHM ― 4.1A ― TO-220 POWERMESH MOSFET
| Производитель: | Vishay | |
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| RoHS: | Нет | |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors | |
| Id ― непрерывный ток утечки: | 4.1 A | |
| Vds ― напряжение пробоя сток-исток: | 600 V | |
| Rds Вкл ― сопротивление сток-исток: | 3.0 Ohms | |
| Полярность транзистора: | N-Channel | |
| Vds ― напряжение пробоя затвор-исток: | 20 V | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Pd ― рассеивание мощности: | 125 W | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 | |
| Упаковка: | Tube | |
| Канальный режим: | Enhancement | |
| Конфигурация: | Single | |
| Время спада: | 30 ns | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Время нарастания: | 33 ns | |
| Размер фабричной упаковки: | 50 | |
| Типичное время задержки выключения: | 82 ns |
IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74W
В наявності
55.9 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Самовивіз
IBAN UA953052990000026008036705932
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Meest ПОШТА — від 30 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат