КТ863Б
Транзистори КТ863Б кремнієві мезаэпитаксиально-планарні структури n-p-n підсилювальні.
Призначені для застосування в перетворювачах напруги, джерела вторинного електроживлення, електронних фотовспышках.
Випускаються в пластмасовому корпусі з жорсткими висновками.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзистора не більше 2,5 р.
Тип корпусу: КТ-28 (ТО-220).
Основні технічні характеристики транзистора КТ863Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постійна розсіює потужність колектора з тепловідводом: 50 Вт;
• fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: понад 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутому ланцюзі емітера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 5 В;
• Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А;
• Ікбо - Зворотний струм колектора - струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера: не більше 1 мА (30В);
• һ21э - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: більше 70;
• Rкэ нас - Опір насичення між колектором і емітером: не більше 0,06 Ом

Технічні характеристики транзисторів КТ863А, КТ863Б, КТ863В:
Тип
транзистора |
Структура |
Граничні значення параметрів при Тп=25°С |
Значення параметрів при Тп=25°С |
ТП
max |
Т
max |
ІК
max |
ІК. В.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max
(РК. Т. max) |
һ21Э |
UКЭ
нас. |
ІКБО |
ІЭБО |
IКЭR |
f гр. |
СК |
СЕ |
| А |
А |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мА |
мА |
мА |
МГц |
пФ |
пФ |
°З |
°З |
| КТ863А |
n-p-n |
10 |
- |
30 |
30 |
5 |
1,5 (50) |
>100 |
<0,3 |
<1 |
<3 |
- |
>4 |
- |
- |
150 |
-40...+100 |
| КТ863Б |
n-p-n |
10 |
- |
30 |
30 |
5 |
1,5 (50) |
>70 |
<0,5 |
<1 |
<3 |
- |
>4 |
- |
- |
150 |
-40...+100 |
| КТ863В |
n-p-n |
10 |
- |
30 |
160 |
5 |
1,5 (50) |
>70 |
<0,5 |
<1 |
<3 |
- |
>4 |
- |
- |
150 |
-40...+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• РК max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора з тепловідводом.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• ІКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• ІЭБО- зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданій зворотній напрузі емітер-база і розімкнутому виведення колектора.
• IКЭR - зворотний струм колектор-емітер при заданій зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.