Найменування приладу: TK8A65D

Маркування: K8A65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярність: N

Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 45 W

Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 650 V

Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 30 V

Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V

Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 8 A

Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C

Загальний заряд затвора (Qg): 25 nC

Час зростання (tr): 22 ns

Вихідна ємність (Cd): 135 pf

Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.84 Ohm

Тип корпусу: TO220SIS