MOSFET транзистор 60R900P — це високовольтний N-канальний транзистор у корпусі TO-252 (DPAK), призначений для роботи в імпульсних блоках живлення та інших силових схемах.

Використовується в мережевих пристроях 220В завдяки високій напрузі пробою та стабільним характеристикам.

Тип транзистора: N-Channel MOSFET
Максимальна напруга (Vds): 600V
Максимальний струм (Id): 4.5A
Імпульсний струм: до 13.5A
Опір каналу (Rds(on)): ~0.9 Ω
Напруга затвору (Vgs): ±30V

Корпус: TO-252 (DPAK)
Тип монтажу: SMD

✔ Висока напруга — 600V
✔ Підходить для мережевих БЖ
✔ Компактний корпус
✔ Надійна робота в імпульсних схемах

• імпульсні блоки живлення (SMPS)

• джерела живлення 220В

• LED драйвери

• зарядні пристрої

• інвертори

MMD60R900P, STF7N60, 7N60, FQPF7N60 (по параметрах близькі)