Пошук
Натисніть знайти для пошуку
Bigl.ua
•
Всі категорії
•
Електрообладнання
•
Електронні компоненти
•
Активні компоненти
•
Транзистори
•
ГТ313А
Характеристики та опис
Транзистори ГТ313А німецькі дифузійно-сплавні структури p-n-p ( h21е 10...230 1000МГц) універсальні
ГТ313А
1 замовлення за місяць
В наявності
Код:
ГТ313А
4
₴
Купити
Купити зараз
Продавець ПП Правдивий
4.8
Відгуки про продавця
Графік роботи
Товари продавця
Захист покупки до 5 000 грн
Способи оплати
Післяплата
Нова Пошта, Укрпошта, Самовивіз
Оплата на рахунок
IBAN UA693052990000026000006708161
Способи доставки
Нова Пошта
—
від 70 грн
Укрпошта
—
від 39 грн
Самовивіз
Дивитись все
Умови повернення
Уточнюйте у продавця
Детальніше
Інші товари продавця
ЗП-3
20
₴
ЗП-5
16
₴
ЗП-19
18
₴
ЗП-1
24
₴
КС170А
5
₴
Дивіться також
Транзистори
Channel
Mosfet
Транзистор 13007
Ту 160
Irfz44n
Channel 5
Toshiba sc
Mom 50
Md1802fx
Оголошень
Транзистор irf 3205
Транзистор п210
Транзистори
Channel
Mosfet
Транзистор 13007
Ту 160
Irfz44n
Channel 5
Toshiba sc
Mom 50
Md1802fx
Оголошень
Транзистор irf 3205
Транзистор п210
Новинки в категорії транзистори
IRLML6302TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 600 мОм
2SD1884 Транзистор біполярний, NPN, 60 Вт, Ucb: 1500 В, Uce:...
IRF740BPBF MOSFET транзистор 400 В 0.6 ом, -55 ... 150 ° C
FQP34N20-VB 200V 40A 60mΩ@10V,40A 1 N-Channel TO-220AB-3 MOS...
BUZ111SE3045 Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 55V 8...
STD5NM50T4 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 4,7А: 100Вт
IRSM836-044MATR IGBT силовий модуль - [36 lead PQFN 12x12]: ...
UT100N03L-VB 30V 100A 100W 5.3mΩ@10V,50A 3V@250uA N Channel ...
2SB647 Транзистор біполярний, PNP, 0,9 Вт, Ucb: 100В, Uce: 8...
CRG15T60A83L Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO...
IRLML6302TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 600 мОм
2SD1884 Транзистор біполярний, NPN, 60 Вт, Ucb: 1500 В, Uce:...
IRF740BPBF MOSFET транзистор 400 В 0.6 ом, -55 ... 150 ° C
FQP34N20-VB 200V 40A 60mΩ@10V,40A 1 N-Channel TO-220AB-3 MOS...
BUZ111SE3045 Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 55V 8...
STD5NM50T4 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 4,7А: 100Вт
IRSM836-044MATR IGBT силовий модуль - [36 lead PQFN 12x12]: ...
UT100N03L-VB 30V 100A 100W 5.3mΩ@10V,50A 3V@250uA N Channel ...
2SB647 Транзистор біполярний, PNP, 0,9 Вт, Ucb: 100В, Uce: 8...
CRG15T60A83L Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO...
Улюблені товари покупців
2П103В
Транзистор IGBT IKW40N65H5 (K40EH5)
Транзистор польовий HYG006N04A4G0TLS
Транзистор FSW25N50A Оригінал!!! 25A, 500V, MOSFET (заміна...
Транзистор CRGMF100T120FSA3
Транзистор CS160N06A8
MOSFET MDP1991 N-канальний 100V 120A 5.9 мОм TO-220 MagnaChi...
Транзистор SH1004B Оригінал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO...
Транзистор BD140-16
Біполярні транзистори TOSHIBA 2SA1930 2SC5171. Оригінал.
2П103В
Транзистор IGBT IKW40N65H5 (K40EH5)
Транзистор польовий HYG006N04A4G0TLS
Транзистор FSW25N50A Оригінал!!! 25A, 500V, MOSFET (заміна...
Транзистор CRGMF100T120FSA3
Транзистор CS160N06A8
MOSFET MDP1991 N-канальний 100V 120A 5.9 мОм TO-220 MagnaChi...
Транзистор SH1004B Оригінал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO...
Транзистор BD140-16
Біполярні транзистори TOSHIBA 2SA1930 2SC5171. Оригінал.
Чат