Основной

Тип транзистора	Биполярный
Тип биполярного транзистора	P-N-P
Материал корпуса	Пластик
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер	60 В
Максимально допустимый ток коллектора	7.50 А

КТ837С транзистор PNP (7,5А 60В) 30W (ТО220)

КТ837С
Транзисторы КТ837С кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ837С:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Характеристики транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
КТ837А	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	10…40	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Б	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	20…80	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837В	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	50…150	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Г	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	10…40	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Д	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	20…80	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Е	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	50…150	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Ж	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	10…40	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837И	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	20…80	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837К	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	50…150	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Л	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	10…40	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837М	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	20…80	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Н	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	50…150	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837П	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	10…40	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Р	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	20…80	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837С	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	50…150	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Т	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	10…40	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837У	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	20…80	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Ф	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	50…150	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Х	p-n-p	7,5	-	180	180	5	1 (30)	>15	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.