•
•
•
•
•
•
Чип 30F131 GT30F131 TO263-2, Транзистор IGBT
Характеристики та опис
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 30F131 в корпусі ТО-263-2 для використання в плазмових панелях.
- Максимальна напруга колектор-емітер: 300 В
- Максимальний струм колектор-емітер: 200 А
- Напруга насичення при номінальному струмі: 1.9 В
- Потужність: 140 Вт
Чип 30F131 GT30F131 TO263-2, Транзистор IGBT
Готово до відправки
12 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта, Самовивіз
IBAN UA183220010000026005320020931
Способи доставки
Нова Пошта — Безкоштовно за умови
Укрпошта — Безкоштовно за умови
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістюІнші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії інтегральні мікросхеми
Улюблені товари покупців
Чат