P-Channel MOSFET -60V, -1.6A, 0.28Ω
Характеристики
| Корпус | DIP4 |
| Структура | P |
| Схема соединения | Одиночный |
| V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток | -60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Id25 - постоянный ток стока при 25°C | -1.6 А |
| Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C | -1.1 А |
| Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V | 0.28 Ом |
| VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) | -2 ... -4 V |
| Мощность рассеяния при 25°C | 1.3 Вт |
| Рабочая температура | -55°C |