Пошук
Натисніть знайти для пошуку
Bigl.ua
•
Всі категорії
•
Електрообладнання
•
Електронні компоненти
•
Активні компоненти
•
Транзистори
•
IGBT модуль StarPower GD450HFY120C2S
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
Діапазон робочих температур
-40 - +150 °C
Кількість ключів
2
Макс. температура переходу
+175 °C
Номінальний струм колектора
450 А
Зворотне напруга
1200 В
Розміри корпусу
106,6х70х30,5
Темература зберігання
-40 - +125 °C
Технологія
Trench IGBT
Тип корпусу
C 2.0
Тип модуля
IGBT модуль
Топологія
Напівміст
Технічні характеристики:
Виробник
StarPower
Тип модуля
IGBT-модуль
Кількість ключів
2
Топологія
Напівміст
Зворотна напруга
1200 В
Номінальний струм колектора
450 А
Темература зберігання
-40 - +125 °C
Діапазон робочих температур
-40 - +150 °C
Макс. температура переходу
+175 °C
Технологія
Trench IGBT
Тип корпусу
C 2.0
Розміри корпусу (ДхШхВ мм)
106,6х70х30,5
Застосування:
Інвертор для приводу двигуна;
Підсилювач сервоприводу змінного (AC) і постійного струму (DC);
Джерело безперебійного живлення (UPS).
IGBT модуль StarPower GD450HFY120C2S
В наявності
7 204
₴
Купити
Купити зараз
Продавець Discon
4.9
Відгуки про продавця
Графік роботи
Товари продавця
Захист покупки до 5 000 грн
Способи оплати
Післяплата
Нова Пошта
Оплата на рахунок
IBAN UA333052990000026009010130760
Дивитись все
Способи доставки
Нова Пошта
—
від 70 грн
Дивитись все
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістю
Детальніше
Інші товари продавця
IGBT модуль StarPower GD300HFY120C2S
5 532
₴
IGBT-модуль SKM50GAL12T4
5 254
₴
IGBT модуль SKiiP 35NAB12T4V1
22 747
₴
IGBT-модуль SKM75GB12T4
5 494
₴
Гігростат Fandis IGR35F 250 В 10 А діапазон — 5~+60 °C
2 331
₴
Дивіться також
Транзистори
Channel
Irf3205
Кт3102
Ту 160
Channel 4
Irfz44n
Channel 5
Tip35c
Транзистор 13003
Транзистор irf640
Mom 50
Оголошень
Igbt-модуль
Транзистори
Channel
Irf3205
Кт3102
Ту 160
Channel 4
Irfz44n
Channel 5
Tip35c
Транзистор 13003
Транзистор irf640
Mom 50
Оголошень
Igbt-модуль
Новинки в категорії транзистори
IRLML6302TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 600 мОм
2SD1884 Транзистор біполярний, NPN, 60 Вт, Ucb: 1500 В, Uce:...
IRF740BPBF MOSFET транзистор 400 В 0.6 ом, -55 ... 150 ° C
FQP34N20-VB 200V 40A 60mΩ@10V,40A 1 N-Channel TO-220AB-3 MOS...
BUZ111SE3045 Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 55V 8...
STD5NM50T4 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 4,7А: 100Вт
IRSM836-044MATR IGBT силовий модуль - [36 lead PQFN 12x12]: ...
UT100N03L-VB 30V 100A 100W 5.3mΩ@10V,50A 3V@250uA N Channel ...
2SB647 Транзистор біполярний, PNP, 0,9 Вт, Ucb: 100В, Uce: 8...
CRG15T60A83L Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO...
IRLML6302TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 600 мОм
2SD1884 Транзистор біполярний, NPN, 60 Вт, Ucb: 1500 В, Uce:...
IRF740BPBF MOSFET транзистор 400 В 0.6 ом, -55 ... 150 ° C
FQP34N20-VB 200V 40A 60mΩ@10V,40A 1 N-Channel TO-220AB-3 MOS...
BUZ111SE3045 Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 55V 8...
STD5NM50T4 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 4,7А: 100Вт
IRSM836-044MATR IGBT силовий модуль - [36 lead PQFN 12x12]: ...
UT100N03L-VB 30V 100A 100W 5.3mΩ@10V,50A 3V@250uA N Channel ...
2SB647 Транзистор біполярний, PNP, 0,9 Вт, Ucb: 100В, Uce: 8...
CRG15T60A83L Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO...
Улюблені товари покупців
2П103В
Транзистор IGBT IKW40N65H5 (K40EH5)
Транзистор польовий HYG006N04A4G0TLS
Транзистор FSW25N50A Оригінал!!! 25A, 500V, MOSFET (заміна...
Транзистор CRGMF100T120FSA3
Транзистор CS160N06A8
MOSFET MDP1991 N-канальний 100V 120A 5.9 мОм TO-220 MagnaChi...
Транзистор SH1004B Оригінал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO...
Транзистор BD140-16
Біполярні транзистори TOSHIBA 2SA1930 2SC5171. Оригінал.
2П103В
Транзистор IGBT IKW40N65H5 (K40EH5)
Транзистор польовий HYG006N04A4G0TLS
Транзистор FSW25N50A Оригінал!!! 25A, 500V, MOSFET (заміна...
Транзистор CRGMF100T120FSA3
Транзистор CS160N06A8
MOSFET MDP1991 N-канальний 100V 120A 5.9 мОм TO-220 MagnaChi...
Транзистор SH1004B Оригінал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO...
Транзистор BD140-16
Біполярні транзистори TOSHIBA 2SA1930 2SC5171. Оригінал.
Чат