Пошук
Натисніть знайти для пошуку
Bigl.ua
•
Всі категорії
•
Електрообладнання
•
Електронні компоненти
•
Активні компоненти
•
Транзистори
•
IGBT модуль StarPower GD300HFY120C2S
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
Діапазон робочих температур
-40 - +150 °C
Кількість ключів
2
Макс. температура переходу
+175 °C
Номінальний струм колектора
300 А
Зворотне напруга
1200 В
Розміри корпусу
106,6х70х30,5
Темература зберігання
-40 - +125 °C
Технологія
Trench IGBT
Тип корпусу
C 2.0
Тип модуля
IGBT модуль
Топологія
Напівміст
Технічні характеристики:
Виробник
StarPower
Тип модуля
IGBT-модуль
Кількість ключів
2
Топологія
Напівміст
Зворотна напруга
1200 В
Номінальний струм колектора
300 А
Темература зберігання
-40 - +125 °C
Діапазон робочих температур
-40 - +150 °C
Макс. температура переходу
+175 °C
Технологія
Trench IGBT
Тип корпусу
C 2.0
Розміри корпусу (ДхШхВ мм)
106,6х70х30,5
Застосування:
Інвертор для приводу двигуна;
Підсилювач сервоприводу змінного (AC) і постійного струму (DC);
Джерело безперебійного живлення (UPS).
IGBT модуль StarPower GD300HFY120C2S
В наявності
5 532
₴
Купити
Купити зараз
Продавець Discon
5
Відгуки про продавця
Графік роботи
Товари продавця
Захист покупки до 5 000 грн
Способи оплати
Післяплата
Нова Пошта
Оплата на рахунок
IBAN UA333052990000026009010130760
Дивитись все
Способи доставки
Нова Пошта
—
від 70 грн
Дивитись все
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістю
Детальніше
Інші товари продавця
IGBT-модуль SKM75GB12T4
5 494
₴
IGBT модуль SKiiP 35NAB12T4V1
22 747
₴
IGBT-модуль SKM400GB12E4
25 171
₴
IGBT-модуль SKM50GAL12T4
5 254
₴
Гігростат Fandis IGR35F 250 В 10 А діапазон — 5~+60 °C
2 331
₴
Дивіться також
Транзистори
Channel
Mosfet
Irf3205
Кт3102
Tip41c
Irfz44n
Irf640
Tip142
Irfz44
Транзистор 13003
Польовіки
Фототранзистор
Оголошень
Транзистори
Channel
Mosfet
Irf3205
Кт3102
Tip41c
Irfz44n
Irf640
Tip142
Irfz44
Транзистор 13003
Польовіки
Фототранзистор
Оголошень
Новинки в категорії транзистори
Транзистор польовий MOSFET CSD18532KCS
MOSFET, N-канальний, 100 В, 200 А, 0,0075 R, TO264AA
Транзистор SiHG47N60EF-GE3
Тр. IGBT KGH15N120 (n-ch) 1200V 10A TO-247 (Original)
ГТ321Е p-n-p транзистор германієвий
Транзистор 100V 26A TO-220 FTP10N40
ГТ322А германієвий транзистор PNP 80 МГц (0,1mА 25В) (h21э: ...
Асортимент, транзистори, 100 штук
2-канальний MOSFET/IGBT високого/низького боку, 4A, SOIC-14
1-канальний MOSFET/IGBT низькочастотний 30A D2PAK-5
Транзистор польовий MOSFET CSD18532KCS
MOSFET, N-канальний, 100 В, 200 А, 0,0075 R, TO264AA
Транзистор SiHG47N60EF-GE3
Тр. IGBT KGH15N120 (n-ch) 1200V 10A TO-247 (Original)
ГТ321Е p-n-p транзистор германієвий
Транзистор 100V 26A TO-220 FTP10N40
ГТ322А германієвий транзистор PNP 80 МГц (0,1mА 25В) (h21э: ...
Асортимент, транзистори, 100 штук
2-канальний MOSFET/IGBT високого/низького боку, 4A, SOIC-14
1-канальний MOSFET/IGBT низькочастотний 30A D2PAK-5
Улюблені товари покупців
КТ815Г транзистор NPN (3 А 100 В) 10 W (ТО126)
Транзистор FGA15N120 (заміна xns15n120t, igw15t120f, BT15T1...
Транзистор SW20N50D Оригінал!!! 20A/13A, 500V заміна FTP20N5...
Транзистор 2SK2500 / K2500
Слюда під транзистор MT-200, 39*24 мм.
Транзистор FQA24N50C ADL Оригінал!!! 24A, 500V, MOSFET (за...
КП103ИР
Транзистор H15ME1 Оригінал!!! 30A/15A 1200V IGBT IHW15N120E1...
Транзистор NCEP85T25 Оригінал!!! 250A/180A, 85V, MOSFET, к...
Біполярні транзистори H649A H669A (2SB649A 2SD669A).
КТ815Г транзистор NPN (3 А 100 В) 10 W (ТО126)
Транзистор FGA15N120 (заміна xns15n120t, igw15t120f, BT15T1...
Транзистор SW20N50D Оригінал!!! 20A/13A, 500V заміна FTP20N5...
Транзистор 2SK2500 / K2500
Слюда під транзистор MT-200, 39*24 мм.
Транзистор FQA24N50C ADL Оригінал!!! 24A, 500V, MOSFET (за...
КП103ИР
Транзистор H15ME1 Оригінал!!! 30A/15A 1200V IGBT IHW15N120E1...
Транзистор NCEP85T25 Оригінал!!! 250A/180A, 85V, MOSFET, к...
Біполярні транзистори H649A H669A (2SB649A 2SD669A).
Чат