Пошук
Натисніть знайти для пошуку
Bigl.ua
•
Всі категорії
•
Електрообладнання
•
Електронні компоненти
•
Активні компоненти
•
Транзистори
•
IGBT модуль StarPower GD400HFU120C2S
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
Діапазон робочих температур
-40 - +125 °C
Кількість ключів
2
Макс. температура переходу
+150 °C
Номінальний струм колектора
400 А
Зворотне напруга
1200 В
Розміри корпусу
106,6х70х30,5
Темература зберігання
-40 - +125 °C
Технологія
NPT Ultra Fast IGBT
Тип корпусу
C 2.0
Тип модуля
IGBT модуль
Топологія
Напівміст
Технічні характеристики:
Виробник
StarPower
Тип модуля
IGBT-модуль
Кількість ключів
2
Топологія
Напівміст
Зворотна напруга
1200 В
Номінальний струм колектора
400 А
Темература зберігання
-40 - +125 °C
Діапазон робочих температур
-40 - +125 °C
Макс. температура переходу
+150 °C
Технологія
NPT Ultra Fast IGBT
Тип корпусу
C 2.0
Розміри корпусу (ДхШхВ мм)
106,6х70х30,5
Застосування:
Імпульсне джерело живлення;
Індуктивне нагрівання;
Зварювальний апарат.
IGBT модуль StarPower GD400HFU120C2S
В наявності
6 961
₴
Купити
Купити зараз
Продавець Discon
4.9
Відгуки про продавця
Графік роботи
Товари продавця
Захист покупки до 5 000 грн
Способи оплати
Післяплата
Нова Пошта
Оплата на рахунок
IBAN UA333052990000026009010130760
Дивитись все
Способи доставки
Нова Пошта
—
від 70 грн
Дивитись все
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістю
Детальніше
Інші товари продавця
IGBT модуль StarPower GD300HFY120C2S
5 532
₴
IGBT-модуль SKM50GAL12T4
5 254
₴
IGBT модуль SKiiP 35NAB12T4V1
22 747
₴
IGBT-модуль SKM75GB12T4
5 494
₴
Гігростат Fandis IGR35F 250 В 10 А діапазон — 5~+60 °C
2 331
₴
Дивіться також
Транзистори
Channel
Транзистор igbt
Irf3205
Транзистор bd139
Ту 160
Ss8050
Irfz44n
Channel 5
Irfz44
Транзистор mje13007
Irf 840
Оголошень
Транзистори
Channel
Транзистор igbt
Irf3205
Транзистор bd139
Ту 160
Ss8050
Irfz44n
Channel 5
Irfz44
Транзистор mje13007
Irf 840
Оголошень
Новинки в категорії транзистори
AO4411 Транзистор: P-MOSFET: польовий: -30В: -6,6А: 2Вт
SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
CSD19537Q3 MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
STP14NM50N Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 8А: 90Вт: T...
IRFP3206PBF MOSFET транзистор: N-канал, 60 В, 200 А, 3 мОм
NCE20TD60BF IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 n...
TTC1949-Y,LF 50V 180@100mA,1V 200mW 500mA NPN TO-236-3(SOT-2...
FQU11P06TU-JSM
Транзистор IRFB9N65APBF
BC848BLT1G Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц
AO4411 Транзистор: P-MOSFET: польовий: -30В: -6,6А: 2Вт
SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
CSD19537Q3 MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
STP14NM50N Транзистор: N-MOSFET: польовий: 500В: 8А: 90Вт: T...
IRFP3206PBF MOSFET транзистор: N-канал, 60 В, 200 А, 3 мОм
NCE20TD60BF IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 n...
TTC1949-Y,LF 50V 180@100mA,1V 200mW 500mA NPN TO-236-3(SOT-2...
FQU11P06TU-JSM
Транзистор IRFB9N65APBF
BC848BLT1G Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц
Улюблені товари покупців
2П103В
Транзистор IGBT IKW40N65H5 (K40EH5)
Транзистор польовий HYG006N04A4G0TLS
Транзистор FSW25N50A Оригінал!!! 25A, 500V, MOSFET (заміна...
Транзистор CRGMF100T120FSA3
Транзистор CS160N06A8
MOSFET MDP1991 N-канальний 100V 120A 5.9 мОм TO-220 MagnaChi...
Транзистор SH1004B Оригінал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO...
Транзистор BD140-16
Біполярні транзистори TOSHIBA 2SA1930 2SC5171. Оригінал.
2П103В
Транзистор IGBT IKW40N65H5 (K40EH5)
Транзистор польовий HYG006N04A4G0TLS
Транзистор FSW25N50A Оригінал!!! 25A, 500V, MOSFET (заміна...
Транзистор CRGMF100T120FSA3
Транзистор CS160N06A8
MOSFET MDP1991 N-канальний 100V 120A 5.9 мОм TO-220 MagnaChi...
Транзистор SH1004B Оригінал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO...
Транзистор BD140-16
Біполярні транзистори TOSHIBA 2SA1930 2SC5171. Оригінал.
Чат