Кількість каналів на ІС: 1.
Максимальна робоча температура: +85 °C.
Мінімальна робоча температура: -40 °C.
Довжина: 4.9 мм.
Ширина: 3.9 мм.
Напруга живлення — макс.    5.5 V
Напруга живлення — мін.    2.7 V
Типова швидкість наростання: 2.3В/мкс.
Типова підсилення за напругою: 115 дБ.
Виробник: Microchip
Тип корпуса: SOIC.
Тип монтажа: SMD.
Типова інтенсивність шумів вхідної напруги: 29 нВ/ГГц.
Число контактів: 8
Типовий твір коефіцієнта посилення на ширину смуги пропускання: 2.8МГц
CMRR — Коефіцієнт заглушення синфазного сигналу: 75 dB
en — Інтенсивність шуму вхідної напруги: 29 nV/sqrt Hz.
GBP — Виведення коефіцієнта посилення на ширину смуги пропускання (fT): 2.8 MHz
Ib — Вхідний струм зміщення: 60 pA
In — щільність струму шуму на вході: 0.0006 pA/sqrt Hz
PSRR — Коефіцієнт заглушення перешкод щодо живлення: 80 dB
SR — швидкість наростання вихідної напруги: 2.3 V/us
Vos — Вхідна напруга зміщення нуля: 2 mV
Вихідний струм на канал: 22 mA
Вимкнення    No Shutdown
Технологія    CMOS
Тип підсилювача    Low Power Amplifier
Торгова марка    Microchip Technology

Ціна вказана за 1 шт.

#6020