Основной

Производитель	Toshi
Страна производитель	Япония
Максимальная мощность рассеивания	440 Вт
Тип транзистора	Полевой
Максимально допустимый ток стока	36 А

1.Транзистор IRFPS37N50A

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 440
Крутизна характеристики S,мА/В 20000
Пороговое напряжение на затворе 4
Корпус Super247

2N1671A транзистор :

I 2IM1671, 1A, B, C B2 VE (SAT) FIG.
1 Unijunction Transistor Symbol with N omenclature used for voltage and curren ts.
FIG.
2 Static Emitter Characterist ic curves showing important parameters and measurement points (exaggerated to show details).
MICRO *MPfftE5 FIG.
3 Static Emitter Characteristics at Peak P oint.
h__.
14 sYbb" sov R VVgg -20V" V JB" ,0V 1 TA «-55° C Hz'° 10 12 14 16 18 —EMITTER CURRENT— IE MILU AMPERES 20 FIG.
4 ii TA =25'C 1 TA *I25° C >u < §8 BB'30 s * db|° " i B2 =o 24 e 41 2 S 1 a 2C EMITTER C URRENT-I-.
- MILUAMPERES > 'in 5 \ s BB 30V i JB8-»V^ V- —XB2 o .