N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Структура    n-канал
Максимальна напруга стік-висток Uсі, В    75
Максимальний струм стоток-висток за 25 °C Iсі макс. А    80
Максимальна напруга затвор-висток Uзи макс., В    ±20
Опір каналу у відкритому стані Rсі вмик. (Max) при Id, Rds (on)    0.011 ом за 40a, 10 В
Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт    45
Крутизна характеристики, S    20
Корпус    to220ab
Особливості    потужний польовий
Порогова напруга на затворі    4
Вага, г    2.5