П416Б транзистор PNP (25 мА 12В) Ni (КТЮ-3-6)

П416Б
Транзистори П416, П416А, П416Б германієві сплавні p-n-p універсальні.
Призначені для застосування в посилених і генераторних каскадах у діапазоні від довгих до коротких і ультракоротких хвиль, а також в імпульсних каскадах радіоелектроночних пристроїв.
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.
Позначення типу приводиться на бічній поверхні корпусу.
Виведення еміттера на буртиці корпусу маркується кольоровою точкою.
Маса транзизора не більш ніж 2,2 г.
Технічні умови: ЩП3.365.001 ТУ.
Основні технічні характеристики транзизора П416Б:
• Структура транзизора: p-n-p
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 100 мВт;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 360 мВт;
• fгр — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схем із загальним імітером і загальною базою: не менш ніж 80 МГц;
• Uкбоб — Пробивна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 15 В;
• Uебо проб — Пробивна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 25 мА;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 5 мкА;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзистори в режимі малого сигналу для схем із загальним імітером: 90... 200;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 8 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 40 Ом

Технічні характеристики транзисторів П416, П416А, П416Б:
Тип
транзизора |
Структура |
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C |
Значення параметрів за Тп = 25 °C |
Т |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max
(РК. И. max) |
h21Э,
(h21э) |
UКБ
(UКЭ) |
IЭ
(IК) |
UКЭ
нас. |
IКБО |
fгp.
(f h21) |
КШ |
СК |
| мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мА |
В |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
°С |
| П416 |
p-n-p |
25 |
120 |
12 |
15 |
3 |
100 |
25...80 |
5 |
5 |
2 |
5 |
40 |
- |
8 |
-60…+70 |
| П416А |
p-n-p |
25 |
120 |
12 |
15 |
3 |
100 |
60...125 |
5 |
5 |
1,7 |
5 |
60 |
- |
8 |
-60…+70 |
| П416Б |
p-n-p |
25 |
120 |
12 |
15 |
3 |
100 |
90...200 |
5 |
5 |
1,7 |
5 |
80 |
- |
8 |
-60…+70 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. И. max — максимально допустима імпульсна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• h21Э — коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в режимі малого сигналу в схемі із загальним евітером.
• UКБ — постійна напруга колектор-база транзизора.
• UКЭ — постійна напруга колектор-емітер транзистора.
• IЭ — постійний струм емітера транзизора.
• IК — постійний струм колектора транзизора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБ0 - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• fгр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• fh21 — передня частота коефіцієнта передавання струму біполярного транзистори.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т — максимально допустима температура довкілля.