Біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) FGL60N100BNTD (N-канальний)
Короткий опис:
FGL60N100 – це високопродуктивний IGBT-транзистор з NPT-Trench структурою, розроблений для застосувань, що вимагають високої напруги, значного струму та швидкого перемикання. Призначений для жорсткого перемикання в імпульсних джерелах живлення та промисловому обладнанні. Має вбудований діод швидкого відновлення (Fast Recovery Diode).
Ключові особливості:
Висока швидкість перемикання: Оптимальний для високочастотних перетворювачів.
Низька напруга насичення (VCE(sat)): Забезпечує мінімальні втрати потужності при роботі.
Вбудований діод швидкого відновлення: Спрощує схему та покращує роботу в індуктивних навантаженнях.
Високий вхідний імпеданс: Полегшує керування затвором.
Технічні характеристики
Параметр
Позначення
Значення (типове)
Одиниця виміру
Тип транзистора
IGBT, N-канальний
Макс. напруга колектор-емітер
VCES
1000
В
Макс. постійний струм колектора
IC (при 25∘C)
60
А
Макс. імпульсний струм колектора
ICM
120
А
Напруга насичення колектор-емітер
VCE(sat) (при IC=60 A)
2.5
В
Макс. потужність розсіювання
PD (при 25∘C)
180
Вт
Час затримки вимкнення
td(off)
630
нс
Діапазон робочих температур
TJ
−55 до +150
∘C
Тип корпусу
TO-264-3 / TO-3P
Застосування
Транзистор FGL60N100 є ідеальним вибором для силової електроніки, включаючи: