SF126D Unitra GEMI транзистор NPN (30мГц 66В) Ni (ТО5)
― Транзисторы биполярные

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Тип материала: SiНаименование производителя: SF126D
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 33
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
Предельная температура PN-перехода (Tj), град:
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 28
Корпус транзистора:
Схемы транзистора SF126
| Общий вид транзистора SF126 |
Цоколевка транзистора SF126 |
 |
 |
Обозначение контактов:
Международное: C ― коллектор, B ― база, E ― эмиттер.
Россиянское: К ― коллектор, Б ― база, Э ― эмиттер.