promo_download_app_android_2023
Нажмите найти для поиска
SIS412DN, MOSFET транзистор N канал, 30В, 12А, QFN8
SIS412DN, MOSFET транзистор N канал, 30В, 12А, QFN8
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительVishay Intertechnology
Тип транзистораПолевой

Пользовательские характеристики

Тип корпусаQFN8
Тип монтажаПоверхностный (BGA)
Тип полевого транзистораN-Channel

Транзистор полевой

Маркировка: S412
Корпус: QFN-8

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Технические параметры:

Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current (DC): 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15.6W

(Смотрите даташит в спецификациях)

SIS412DN, MOSFET транзистор N канал, 30В, 12А, QFN8

Готово к отправке
Код: 4020239
29.9 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Оплата на счет
IBAN UA053220010000026009330126683
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Meest ПОШТА — от 30 грн
Delivery
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат