КП303И транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72) Наименование КП303И ТО-72 Транзистор Функциональный тип полевой Типоразмер корпуса отечественный КТ-1-12 Структура N-FET Дата выпуска от 1989г Торговая марка АО Элекс, Александров Страна происхождения СССР ТУ Ц20.336.601 ТУ Вид приемки "1" Материал корпуса металлостеклянный Тип вывода гибкий Покрытие выводов или контактов Au Рабочее положение любое Фактическая маркировка 3ИС6 Наличие паспорта -этикетки паспорт Вид упаковки картонная коробка Доупаковка картонная пластина Состояние упаковки заводская Кратность отгрузки 1 Габаритные размеры L*W*H 5,8х19 Высота корпуса 5,3 mm Длина выводов 13,7 mm Масса изделия, гр. 0,34 Содержание золота в 1шт, gr 0,00903 Английская транскрипция Transistor KP303I Напряжение сток-исток 25 V Напряжение затвора 30 V Ток стока 20 mA Максимальная мощность рассеивания 200 mW Танзистор КП303И кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, напряжение отсечки транзистора ― напряжение между затвором и истоком: 0,5... 2 В. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты с высоким входным сопротивлением. Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303И: Тип полевого транзистора Р МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ мВт МГц В В В мА В мкСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С КП303А 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85 КП303Б 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85 КП303В 200 - 25 30 30 20 1…4 - <1 2…5 1,5…5 <6 <2 - -40…+85 КП303Г 200 - 25 30 30 20 <8 - <0,1 3…7 3…12 <6 <2 - -40…+85 КП303Д 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >2,6 3…9 <6 <2 <4 -40…+85 КП303Е 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >4 5…20 <6 <2 <4 -40…+85 КП303Ж 200 - 25 30 30 20 0,3…3 - <5 1…4 0,3…3 <6 <2 - -40…+85 КП303И 200 - 25 30 30 20 0,5…2 - <5 2…6 1,5…5 <6 <2 - -40…+85 Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: • Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора. • f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора. • UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток. • UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток. • UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток. • IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора. • UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. • g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой. • S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. • IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения. • C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком. • C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. • КШ - коэффициент шума транзистора. • Т ОКР - температура окружающей среды.