RJH60F7DPQ-AO - силовой IGBT, 600 В, 50 А, TO-247 (восстановленные ножки)

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
VCE (насыщ.) = 1,35 В (при IC = 50 А, VGE = 15 В, Ta = 25 ° C)
Встроенный быстровосстанавливающийся  диод
Затвор Trench gate и технология Thin wafer
Высокая скорость переключения
tf = 74 нс  (при IC = 30 A, VCE = 400 В, VGE = 15 В, Rg = 5 , Ta = 25 ° C, индуктивная нагрузка)