Транзистор IRF5305 (MOSFET P-Channel 55V 31A 110W TO-220)
Потужний польовий P-канальний транзистор, виготовлений за технологією HEXFET® Power MOSFET від компанії International Rectifier (Infineon) [IRF5210PBF, IRL2203N]. Призначений для комутації навантаження у схемах, де керування виконується по позитивній шині живлення («плюсу») [IRF 9630].

Завдяки дуже низькому опору відкритого каналу, високій швидкості перемикання та стійкості до лавинних пробоїв, цей транзистор мінімізує втрати потужності й забезпечує високу надійність роботи пристрою. Випускається в класичному корпусі TO-220 з металевою підкладкою для зручного монтажу на радіатор [IRF 9630].

Сфери застосування:

• Автомобільна електроніка та бортові мережі 12 В і 24 В [IRFB3607PBF, IRF2903ZPBF].
• Схеми захисту від переполюсовки (неправильного підключення акумулятора) [IRF5210PBF, IRF 9630].
• Керування потужними електроприводами та двигунами постійного струму [IRL2203N].
• DC-DC перетворювачі, джерела безперебійного живлення (UPS) та інвертори [IRF5210PBF, IRLB3034PBF, IRF 9630].

Основні технічні характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET (польовий) [IRF 9630]
• Тип каналу: P-Channel (P-канальний) [IRF 5210PBF, IRF 9630]
• Максимальна напруга стік-витік (\(V_{DSS}\)): -55 В
• Максимальний струм стоку (\(I_{D}\)): -31 А (при температурі корпусу 25°C)
• Імпульсний струм стоку (\(I_{DM}\)): -110 А
• Максимальна потужність розсіювання (\(P_{D}\)): 110 Вт [IRLZ 44N]
• Опір відкритого каналу (\(R_{DS(on)}\)): 0.06 Ом (60 мОм) при \(V_{GS}\) = -10В
• Діапазон напруги затвор-витік (\(V_{GS}\)): ±20 В [IRF 9630]
• Тип корпусу: TO-220 (TO-220AB) [IRF 9630]
• Тип монтажу: THT (в отвори на платі) [IRF 9630]