Характеристики и описание

Основной

Производитель

Vishay Intertechnology

Пользовательские характеристики

Корпус	SOT-23
Число каналов	1
Максимальна робоча температура, °C	150
Мінімальна робоча температура, °C	-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт	8
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт	20
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом	0,142
Полярность	P-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт	0,4-1
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер	3,1
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт	1,6
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд	11
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд	30

P- Канальный; 2,3 A; 20 V

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
Корпус: SOT-23
Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 20 В
Постоянный ток стока (ID), за карткою: 2,3 А

Функционал

Работа в DC-DC перетворювачах
Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
Управление силовыми линиями у BMS
Коммутация нагрузки
Управление линиями питания
Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус SOT-23, стандартна для цієї групи MOSFET орієнтація, вид зверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Исток) 3. Drain (D, Сток) Для заміни деталлю іншого виробника цокольовку все одно слід звірити.