Корпус	TO-220
Число каналов	1
Максимальна робоча температура, °C	175
Мінімальна робоча температура, °C	-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт	20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт	75
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом	0,009
Полярность	N-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт	2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер	80
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт	140
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд	16
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд	43

N-ch; 75V; 80A; 140W; 0.0073 Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
Корпус: TO-220
Монтаж: THT (выводной монтаж)
Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 75 В
Постоянный ток стока (ID), за карткою: 80 А
Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 140 Вт
Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.0073 Ом

Функционал

Работа в DC-DC перетворювачах
Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
Управление силовыми линиями у BMS
Коммутация нагрузки
Управление линиями питания
Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус TO-220. Если смотреть на сторону с маркировкой, выводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі обычно соединена з Drain.