Корпус	TO-220
Число каналов	1
Максимальна робоча температура, °C	175
Мінімальна робоча температура, °C	-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт	20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт	75
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом	0,013
Полярность	N-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт	2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер	82
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт	230
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд	13
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд	49

N-Ch 82A; 75V; 0,013 Ом

Описание

це N-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором обогащенного типа. Він используется в низковольтных DC-DC преобразователях, автомобільній електроніці, драйверах двигателей, BMS и силовых ключах. Максимальное напряжение сток-исток становить 75 В.

Технические характеристики

Тип / канал: N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 75 В
Максимальний постійний ток стоку (ID): 82 А
Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): 280 А
Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): до 13 мОм при VGS=10 В
Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
Максимальное мощность розсіювання (PD): 200 Вт за актуальною сторінкою Infineon; у старіших datasheet зустрічається 230 Вт
Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+175 °C
Тип корпуса: TO-220AB

Функционал

Комутація електричного навантаження
Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
Керування питаниям в акумуляторних узлах

Распиновка

Транзистор виконаний у корпусі TO-220AB. Якщо дивитися на сторону с маркировкой (выводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — управляющий вывод. 2. Drain (D, Сток) — силовой вывод; тепловая/металлическая площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Исток) — силовой вывод витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK большая тепловая площадка электрически соответствует Drain (D).