N-ch; 200V; 6A; 70W; 0.8 Ohm
Описание
це N-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором обогащенного типа. Він используется в DC-DC преобразователях, инверторах, драйверах, силовых ключах и импульсных источниках питания. Максимальное напряжение сток-исток становить 200 В.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 200 В
- Максимальний постійний ток стоку (ID): 6 А за карткою товару; у частини актуальних Vishay datasheet около 5,2 А
- Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): около 20 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): до 0,8 Ом при VGS=10 В
- Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальное мощность розсіювання (PD): 70 Вт за карткою; у разных ревізіях зустрічаються інші значення
- Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
- Тип корпуса: TO-220
Функционал
- Комутація електричного навантаження
- Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
- Робои у ключевых каскадах інверторів
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
Распиновка
Транзистор виконаний у корпусі TO-220. Якщо дивитися на сторону с маркировкой (выводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — управляющий вывод. 2. Drain (D, Сток) — силовой вывод; тепловая/металлическая площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Исток) — силовой вывод витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK большая тепловая площадка электрически соответствует Drain (D).