Корпус	TO-220
Число каналов	1
Максимальна робоча температура, °C	175
Мінімальна робоча температура, °C	-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт	20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт	100
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом	0,023
Полярность	N-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт	2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер	57
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт	200
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд	12
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд	45

N-ch; 100V; 57A; 200W; 0.023 Ohm

Описание

це N-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором обогащенного типа. Він используется в DC-DC преобразователях, инверторах, драйверах, силовых ключах и импульсных источниках питания. Максимальное напряжение сток-исток становить 100 В.

Технические характеристики

Тип / канал: N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
Максимальний постійний ток стоку (ID): 57 А
Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): 180 А
Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): до 0,023 Ом при VGS=10 В
Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2,0…4,0 В
Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
Максимальное мощность розсіювання (PD): 200 Вт
Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+175 °C
Тип корпуса: TO-220AB

Функционал

Комутація електричного навантаження
Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
Робои у ключевых каскадах інверторів
Керування силовим навантаженням у драйверних схемах

Распиновка

Транзистор виконаний у корпусі TO-220AB. Якщо дивитися на сторону с маркировкой (выводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — управляющий вывод. 2. Drain (D, Сток) — силовой вывод; тепловая/металлическая площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Исток) — силовой вывод витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK большая тепловая площадка электрически соответствует Drain (D).