Описание

20P06D — мощный P-канальный MOSFET-транзистор в SMD-корпусе D-PAK (TO-252), предназначенный для коммутации нагрузок по плюсовой линии, автомобильной электроники, импульсных источников питания и схем управления электродвигателями.

Распиновка при расположении транзистора стороной с маркировкой к себе, выводами вниз, слева направо: 1 — Gate (затвор), управляющий вывод; 2 — Drain (сток), также электрически соединен с большой металлической подложкой корпуса; 3 — Source (исток).

Технические характеристики

• Тип: P-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -60 В, в некоторых исполнениях -55 В
• Максимальный постоянный ток стока (ID): -20 А
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,065–0,078 Ом
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): -2...-4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): до 34 Вт, до 110 Вт при соответствующем теплоотводе
• Диапазон рабочих температур: -55...+175 °C
• Корпус: D-PAK (TO-252), SMD

Функционал

• Коммутация нагрузок по плюсовой линии питания
• Импульсное переключение силовых нагрузок
• Работа в импульсных источниках питания
• Управление электродвигателями
• Коммутация нагрузок в автомобильной электронике