SF128 Unitra GEMI транзистор NPN (500mA 100В) Au (ТО5)
― Транзисторы биполярные

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Type Designator: SF128
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc), W: 0.6
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|, V: 100
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 60
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|, V: 7
Maximum Collector Current |Ic max|, A: 0.5
Max. Operating Junction Temperature (Tj), °C:
Transition Frequency (ft), MHz: 60
Collector Capacitance (Cc), pF:
Forward Current Transfer Ratio (hFE), min: 28
Корпус транзистора:
Схемы транзистора SF126
| Общий вид транзистора SF126 |
Цоколевка транзистора SF126 |
 |
 |
Обозначение контактов:
Международное: C ― коллектор, B ― база, E ― эмиттер.
Россиянское: К ― коллектор, Б ― база, Э ― эмиттер.