BT134-600E,127, Симистор 4А 600В, SOT-82
TRIAC, NXP Semiconductors

Технические параметры

Максимальное обратное напряжение Uобр.,В    600
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В    600
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А    4
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А    25
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В    1.7
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А    0.025
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В    1.5
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс    50
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс    50
Время включения tвкл.,мкс    2
Рабочая температура,С    -40…125
Корпус    sot82
Конфигурация    single
Тип симистора    logic-sensitive gate
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В    600
Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А    4
Отпирающее постоянное напряжение управления, В    1.5
Ударный ток в открытом состоянии, А    25
Отпирающий постоянный ток управления, мА    10
Ток удержания, мА    15
Корпус    sot-82
Вес, г    1.4