Усилитель мощности низкой частоты 180Вт, 4 - 8 Ом, LANZAR-MOSFET, на 2-х парах выходных транзисторов IRF640+IRF9640.

U пит.макс --- +/-55 при R нагр. 4 Ом.
+/-60 при Rнагр. 8 Ом. 
Р макс. --- 180 Вт при R нагр. 4 Ом.

Uвх --- 1В. 

К усил. --- 28
Ток покоя --- 70-100мА
КНИ --- 0,04 (при 2/3 Р.макс)
R вх. --- 27кОм
Отношение сигнал/шум --- 90дБ
Скорость нарастания U вых --- 50В/мкС 
Размер платы --- 98*72мм.

1. Резисторы R3, R6 рассчитать по формуле: R = (Uплеча - 15 В) / 0,01 (кОм).

2. Транзисторы VT5 -VT7, VT10 -VT13 разместить через изолирующие прокладки на радиаторе площадью не менее 1000 кв. см с применением теплопроводящей пасты.

3. Ток покоя 70 ...100 мА установить резистором R15 после прогрева усилителя под нагрузкой (через 15...30 мин работы). Перед установкой тока закоротить ХР 1 и снять нагрузку с ХР 3. Контроль установки тока покоя производится по милливольтметру, присоединенному к истокам VT12 и VT13 (или VT10 и VT11). Показания милливольтметра должны быть 30 ...44 мВ.

Плата качественная (см. фото), схема прилагается!

Блок со стороны пайки вскрыт электроизоляционным акриловым лаком Plastik-71, для защиты от коррозии.