IGBT модуль Semikron SKM200GB12T4 241 А 1200 В — силовой полупроводниковый модуль промышленного назначения, выполненный по полумостовой схеме на базе IGBT-транзисторов четвертого поколения. Модель рассчитана на номинальный ток 241 А и напряжение 1200 В, обеспечивает высокую эффективность коммутации, стабильную работу при высоких нагрузках и минимальные потери мощности. Модуль изготовлен в надежном корпусе SEMITRANS 2, отличается высокой теплопроводностью, устойчивостью к перегреву и длительным сроком эксплуатации. Продукция Semikron широко применяется в промышленной электронике, системах автоматизации и силовых преобразователях благодаря высокой надежности и стабильным электрическим характеристикам. Сфера применения: модуль используется в частотных преобразователях, инверторах, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании, источниках бесперебойного питания (UPS), солнечных инверторах, промышленной автоматике, преобразователях мощности и другом силовом оборудовании, где требуется эффективное управление высокими токами и напряжением. Технические характеристики: Производитель Semikron Тип модуля IGBT модуль Количество ключей 2 Топология полумост IGBT Обратное напряжение 1200 В Номинальный ток коллектора 241 А Темература хранения -40 - +125 °C Диапазон рабочих температур -40 - +125 °C Макс. температура перехода +125°C Технология Trench IGBT Тип корпуса SEMITRANS 3 Размеры корпуса 122×62×17