IGBT-модуль Semikron SKM150GAL12T4 179 А 1200 ВIGBT-модуль Semikron SKM150GAL12T4 179 А 1200 В — силовой полупроводниковый модуль для управляемой коммутации в преобразовательной технике.
В исходных технических данных указаны: указанный ток 179 А, класс напряжения 1200 В, схема Полумост.
Технические характеристики- Производитель: Semikron
- Модель: SKM150GAL12T4
- Тип: IGBT-модуль
- Номинальный ток: 179 А
- Класс напряжения / указанное напряжение: 1200 В
- Топология: Полумост
- Количество ключей: 1
- Технология: Trench IGBT
- Корпус: C 2.0
- Размеры корпуса: 94,1х34х30,1
- Диапазон рабочих температур: -40 - +125 °C
- Температура хранения: -40 - +150 °C
- Максимальная температура перехода: +175°C
Сфера примененияМодуль применяют в частотных преобразователях, инверторах, приводной электронике, системах управления электродвигателями и преобразователях мощности.
Особенности подбора и монтажаПеред установкой проверьте выводы, способ крепления, электрическую схему, совместимость драйвера и радиатора по паспорту модели. При подборе учитывайте режим коммутации, охлаждение и предельные параметры полупроводника.