Основной
| Максимальная мощность рассеивания | 60 Вт |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 90 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 1200 В |
| Максимальное прямое напряжение | 2 В |
| Максимальный обратный ток | 40 мкА |
| Максимальный прямой ток | 20 А |
| Состояние | Новое |
| Тип диода | Диод Шоттки |
Дополнительные характеристики
| Тип монтажа | Вставной |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | SiC |
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1 — полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3. Комплект состоит из 5 единиц с двойной структурой и общим катодом.
- Тип диода: Шоттки
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Максимальное обратное напряжение: 1200 В
- Максимальный прямой ток: 20 А
- Корпус: TO247-3, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 5 шт.
Максимальное постоянное обратное напряжение диода составляет 1200 В, что определяет его рабочий диапазон в высоковольтных цепях. Максимальный прямой ток равен 20 А, а максимальное прямое напряжение — 2 В. Максимально допустимый прямой импульсный ток достигает 90 А, а максимальный обратный ток ограничен значением 40 мкА.
Конструкция и монтажПрибор изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) и имеет двойную структуру с общим катодом. Корпус TO247-3 предназначен для выводного монтажа (THT). Максимальная мощность рассеивания составляет 60 Вт.
КомплектацияВ комплект поставки входит 5 шт. диодов BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1.
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1, SiC, 1200 В, 20 А, TO247-3 (5 шт.)
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность