Диоды TAIWAN SEMICONDUCTOR BZT52C5V1 RHG — полупроводниковый прибор с номинальным напряжением стабилизации 5.1 В и максимальной мощностью рассеивания 0.5 Вт. Компонент выполнен в корпусе SOD123F для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип диода: стабилитрон
- Номинальное напряжение стабилизации: 5.1 В
- Максимальная мощность рассеивания: 0.5 Вт
- Корпус: SOD123F
- Тип монтажа: поверхностный (SMD)
- Допуск: ±5%
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Номинальное напряжение стабилизации составляет 5.1 В с допуском ±5%. Максимальная мощность рассеивания — 0.5 Вт.
Конструкция и монтаж
Диод имеет структуру «pojedyncza диод» (одиночный диод) и размещается в корпусе SOD123F. Тип монтажа — поверхностный (SMD).
Комплектация
В комплект поставки входит 150 шт. стабилитронов.