Диоды TAIWAN SEMICONDUCTOR BZX55C3V3 R0G — полупроводниковый прибор с номинальным напряжением стабилизации 3.3 В и максимальной мощностью рассеивания 0.5 Вт. Компонент выполнен в корпусе DO35 с выводным типом монтажа.
- Номинальное напряжение стабилизации: 3.3 В
- Максимальная мощность рассеивания: 0.5 Вт
- Корпус: DO35
- Тип монтажа: выводной
- Допуск: ±5%
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Номинальное напряжение стабилизации составляет 3.3 В, что определяет рабочий режим диода. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0.5 Вт. Допуск параметров равен ±5%.
Конструкция и монтаж
Диод изготовлен в корпусе DO35. Структура полупроводника — одиночный диод (pojedyncza dioda). Тип монтажа — выводной.
Комплектация
В комплекте поставляется 150 шт. компонентов.