Основной
| Максимальная мощность рассеивания | 342 Вт |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 180 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 1200 В |
| Максимальное прямое напряжение | 2 В |
| Максимальный обратный ток | 35 мкА |
| Максимальный прямой ток | 40 А |
| Состояние | Новое |
| Тип диода | Диод Шоттки |
Дополнительные характеристики
| Тип монтажа | Вставной |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | SiC |
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 — полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-2. Устройство имеет максимальное постоянное обратное напряжение 1200 В и максимальный прямой ток 40 А. В комплекте поставляется 2 штуки.
- Тип диода: Шоттки
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Максимальное постоянное обратное напряжение: 1200 В
- Максимальный прямой ток: 40 А
- Максимальная мощность рассеивания: 342 Вт
- Корпус: TO247-2, монтаж THT
- Количество в комплекте: 2 шт.
Максимальное постоянное обратное напряжение диода составляет 1200 В. Максимальный прямой ток равен 40 А, а максимальное прямое напряжение — 2 В. Максимально допустимый прямой импульсный ток достигает 180 А, а максимальный обратный ток ограничен значением 35 мкА.
Мощность и конструкцияМаксимальная мощность рассеивания компонента составляет 342 Вт. Диод изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) и имеет структуру «одиночный диод». Монтаж выполняется выводным способом (THT) в корпусе TO247-2.
КомплектацияВ наборе находится 2 штуки диодов BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1.
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1, SiC, 1200 В, 40 А, TO247-2 (2 шт.)
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность